Заполнитель

FQB12P20TM, МОП-транзистор, P Канал, -11.5 А, -200 В

130,00 руб.

x 130,00 = 130,00
Артикул: 1133992 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней130,00руб.120,90руб.117,00руб.114,40руб.110,50руб.104,00руб.101,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней244,40руб.224,90руб.221,00руб.215,80руб.208,00руб.196,30руб.191,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней248,30руб.228,80руб.223,60руб.218,40руб.208,00руб.197,60руб.193,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней156,00руб.143,00руб.140,40руб.136,50руб.132,60руб.124,80руб.120,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней226,20руб.208,00руб.202,80руб.198,90руб.192,40руб.180,70руб.175,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней141,70руб.131,30руб.127,40руб.124,80руб.120,90руб.113,10руб.110,50руб.

Характеристики

FQB12P20TM, МОП-транзистор, P Канал, -11.5 А, -200 В Enhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

120Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-200В
Непрерывный Ток Стока

-11.5А