Заполнитель

FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
Артикул: 1126630 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Дополнительная информация

Корпус

to3pn
Структура

n-канал