Заполнитель

FQA19N60, МОП-транзистор, N Канал, 18.5 А, 600 В, 380 мОм

460,00 руб.

x 460,00 = 460,00
Артикул: 1132166 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней460,00руб.427,80руб.414,00руб.404,80руб.391,00руб.368,00руб.358,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней864,80руб.795,80руб.782,00руб.763,60руб.736,00руб.694,60руб.676,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней878,60руб.809,60руб.791,20руб.772,80руб.736,00руб.699,20руб.685,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней552,00руб.506,00руб.496,80руб.483,00руб.469,20руб.441,60руб.427,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней800,40руб.736,00руб.717,60руб.703,80руб.680,80руб.639,40руб.621,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней501,40руб.464,60руб.450,80руб.441,60руб.427,80руб.400,20руб.391,00руб.

Характеристики

FQA19N60, МОП-транзистор, N Канал, 18.5 А, 600 В, 380 мОм The FQA19N60 is a 600V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-3p
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

18.5А