Заполнитель

FP15R12W1T4_B3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал

2.970,00 руб.

x 2.970,00 = 2.970,00
Артикул: 1135996 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.970,00руб.2.762,10руб.2.613,60руб.2.524,50руб.2.435,40руб.2.390,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней3.356,10руб.3.029,40руб.2.970,00руб.2.851,20руб.2.762,10руб.2.702,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней3.623,40руб.3.267,00руб.3.177,90руб.3.088,80руб.2.910,60руб.2.732,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней3.534,30руб.3.177,90руб.3.118,50руб.2.999,70руб.2.880,90руб.2.717,55руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней5.049,00руб.4.544,10руб.4.455,00руб.4.276,80руб.4.128,30руб.3.771,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней5.019,30руб.4.514,40руб.4.419,36руб.4.247,10руб.4.098,60руб.3.742,20руб.

Характеристики

FP15R12W1T4_B3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал The FP15R12W1T4_B3 is an EasyPIM™ 1B 3-phase rectifier IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC (without brake chopper). It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.

• Low switching losses
• V(CEsat) with positive temperature coefficient
• Al2O? substrate with low thermal resistance
• Compact design
• Solder contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
• Compact module concept
• Configuration flexibility

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

20вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

Module
Рассеиваемая Мощность

130Вт
Полярность Транзистора

N Канал
DC Ток Коллектора

15А