DOC001220075

FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]

360,00 руб.

x 360,00 = 360,00
Артикул: 1128259 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней360,00руб.334,80руб.324,00руб.316,80руб.306,00руб.288,00руб.280,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней676,80руб.622,80руб.612,00руб.597,60руб.576,00руб.543,60руб.529,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней687,60руб.633,60руб.619,20руб.604,80руб.576,00руб.547,20руб.536,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней432,00руб.396,00руб.388,80руб.378,00руб.367,20руб.345,60руб.334,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней626,40руб.576,00руб.561,60руб.550,80руб.532,80руб.500,40руб.486,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней392,40руб.363,60руб.352,80руб.345,60руб.334,80руб.313,20руб.306,00руб.

Характеристики

FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал+диод