2

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]

860,00 руб.

x 860,00 = 860,00
Артикул: 1128254 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней860,00руб.799,80руб.774,00руб.756,80руб.731,00руб.688,00руб.670,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.616,80руб.1.487,80руб.1.462,00руб.1.427,60руб.1.376,00руб.1.298,60руб.1.264,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.642,60руб.1.513,60руб.1.479,20руб.1.444,80руб.1.376,00руб.1.307,20руб.1.281,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.032,00руб.946,00руб.928,80руб.903,00руб.877,20руб.825,60руб.799,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.496,40руб.1.376,00руб.1.341,60руб.1.315,80руб.1.272,80руб.1.195,40руб.1.161,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней937,40руб.868,60руб.842,80руб.825,60руб.799,80руб.748,20руб.731,00руб.

Характеристики

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал