Характеристики
‘Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT4.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25 C: 450 А
Напряжение насыщения К-Э при 25 C: 1,75 В
Технология: IGBT4
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм’