2010017731

FF100R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

5.480,00 руб.

x 5.480,00 = 5.480,00
Артикул: 1065435 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней5.480,00руб.5.096,40руб.4.822,40руб.4.658,00руб.4.493,60руб.4.411,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней6.192,40руб.5.589,60руб.5.480,00руб.5.260,80руб.5.096,40руб.4.986,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней6.685,60руб.6.028,00руб.5.863,60руб.5.699,20руб.5.370,40руб.5.041,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней6.521,20руб.5.863,60руб.5.754,00руб.5.534,80руб.5.315,60руб.5.014,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней9.316,00руб.8.384,40руб.8.220,00руб.7.891,20руб.7.617,20руб.6.959,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней9.261,20руб.8.329,60руб.8.154,24руб.7.836,40руб.7.562,40руб.6.904,80руб.

Характеристики

FF100R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Дополнительная информация

Бренд

Infineon
Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—