67

FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]

6,00 руб.

x 6,00 = 6,00
Артикул: 1126626 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней6,00руб.5,58руб.5,40руб.5,28руб.4,92руб.4,80руб.4,68руб.4,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней10,86руб.9,96руб.9,78руб.9,54руб.8,88руб.8,70руб.8,46руб.7,62руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней14,04руб.12,96руб.12,66руб.12,36руб.11,52руб.11,22руб.10,98руб.9,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней7,20руб.6,60руб.6,48руб.6,30руб.5,88руб.5,76руб.5,58руб.5,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней13,86руб.12,78руб.12,48руб.12,18руб.11,82руб.11,40руб.10,80руб.9,72руб.

Характеристики

FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23] Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

n-канал