67

Транзистор FDV302P

9,00 руб.

x 9,00 = 9,00
Артикул: 1127969 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней9,00руб.8,37руб.8,10руб.7,92руб.7,38руб.7,20руб.7,02руб.6,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней16,29руб.14,94руб.14,67руб.14,31руб.13,32руб.13,05руб.12,69руб.11,43руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней21,06руб.19,44руб.18,99руб.18,54руб.17,28руб.16,83руб.16,47руб.14,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней10,80руб.9,90руб.9,72руб.9,45руб.8,82руб.8,64руб.8,37руб.7,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней20,79руб.19,17руб.18,72руб.18,27руб.17,73руб.17,10руб.16,20руб.14,58руб.

Характеристики

FDV302PEnhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-23, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 25 В, 120 мА