2

FDT457N, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 0.043 Ом, 10 В

81,00 руб.

x 81,00 = 81,00
Артикул: 1133980 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней81,00руб.75,33руб.72,90руб.71,28руб.66,42руб.64,80руб.63,18руб.58,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней146,61руб.134,46руб.132,03руб.128,79руб.119,88руб.117,45руб.114,21руб.102,87руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней189,54руб.174,96руб.170,91руб.166,86руб.155,52руб.151,47руб.148,23руб.132,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней97,20руб.89,10руб.87,48руб.85,05руб.79,38руб.77,76руб.75,33руб.68,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней187,11руб.172,53руб.168,48руб.164,43руб.159,57руб.153,90руб.145,80руб.131,22руб.

Характеристики

FDT457N, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 0.043 Ом, 10 В The FDT457N is a 30V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. It is well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits and DC motor control. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Continuous gate source voltage (VGSS)
• 42 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 12 C/W Thermal resistance, junction to case

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

3Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

5а