1925

FDS6912A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6 А

60,00 руб.

x 60,00 = 60,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней60,00руб.55,80руб.54,00руб.52,80руб.49,20руб.48,00руб.46,80руб.43,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней108,60руб.99,60руб.97,80руб.95,40руб.88,80руб.87,00руб.84,60руб.76,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней140,40руб.129,60руб.126,60руб.123,60руб.115,20руб.112,20руб.109,80руб.98,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней72,00руб.66,00руб.64,80руб.63,00руб.58,80руб.57,60руб.55,80руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней138,60руб.127,80руб.124,80руб.121,80руб.118,20руб.114,00руб.108,00руб.97,20руб.

Характеристики

FDS6912A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6 А The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Gate source voltage (VGSS)
• 78 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 40 C/W Thermal resistance, junction to case

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

1.6Вт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока