FDS6679AZ, Транзистор, P-канал, -30В, -13А , 9мОм [SO8]

18,00 руб.

Артикул: 1127481 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	18,00руб.	16,74руб.	16,20руб.	15,84руб.	14,76руб.	14,40руб.	14,04руб.	12,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	32,58руб.	29,88руб.	29,34руб.	28,62руб.	26,64руб.	26,10руб.	25,38руб.	22,86руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	42,12руб.	38,88руб.	37,98руб.	37,08руб.	34,56руб.	33,66руб.	32,94руб.	29,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	21,60руб.	19,80руб.	19,44руб.	18,90руб.	17,64руб.	17,28руб.	16,74руб.	15,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	41,58руб.	38,34руб.	37,44руб.	36,54руб.	35,46руб.	34,20руб.	32,40руб.	29,16руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6679AZ, Транзистор, P-канал, -30В, -13А , 9мОм [SO8]The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handing capability
• 6kV Typical HBM ESD protection level