0e2a6e1a74d9d89a7635c7ac0a350c80

Транзистор FDS6675

86,00 руб.

x 86,00 = 86,00
Артикул: 1127954 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней86,00руб.79,98руб.77,40руб.75,68руб.70,52руб.68,80руб.67,08руб.61,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней155,66руб.142,76руб.140,18руб.136,74руб.127,28руб.124,70руб.121,26руб.109,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней201,24руб.185,76руб.181,46руб.177,16руб.165,12руб.160,82руб.157,38руб.141,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней103,20руб.94,60руб.92,88руб.90,30руб.84,28руб.82,56руб.79,98руб.72,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней198,66руб.183,18руб.178,88руб.174,58руб.169,42руб.163,40руб.154,80руб.139,32руб.

Характеристики

FDS6675PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 8-SOIC N, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А