1925

FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А

25,00 руб.

x 25,00 = 25,00
Артикул: 1126620 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней25,00руб.23,25руб.22,50руб.22,00руб.20,50руб.20,00руб.19,50руб.18,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней45,25руб.41,50руб.40,75руб.39,75руб.37,00руб.36,25руб.35,25руб.31,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней58,50руб.54,00руб.52,75руб.51,50руб.48,00руб.46,75руб.45,75руб.41,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней30,00руб.27,50руб.27,00руб.26,25руб.24,50руб.24,00руб.23,25руб.21,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней57,75руб.53,25руб.52,00руб.50,75руб.49,25руб.47,50руб.45,00руб.40,50руб.

Характеристики

FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2p-канал