67

FDN86265P, МОП-транзистор, P Канал, -800 мА, -150 В

99,00 руб.

x 99,00 = 99,00
Артикул: 1132147 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней99,00руб.92,07руб.89,10руб.87,12руб.81,18руб.79,20руб.77,22руб.71,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней179,19руб.164,34руб.161,37руб.157,41руб.146,52руб.143,55руб.139,59руб.125,73руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней231,66руб.213,84руб.208,89руб.203,94руб.190,08руб.185,13руб.181,17руб.162,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней118,80руб.108,90руб.106,92руб.103,95руб.97,02руб.95,04руб.92,07руб.83,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней228,69руб.210,87руб.205,92руб.200,97руб.195,03руб.188,10руб.178,20руб.160,38руб.

Характеристики

FDN86265P, МОП-транзистор, P Канал, -800 мА, -150 В PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SuperSOT
Рассеиваемая Мощность

1.5Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-150В
Непрерывный Ток Стока

-800мА