67

Транзистор FDN360P

37,00 руб.

x 37,00 = 37,00
Артикул: 1127931 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней37,00руб.34,41руб.33,30руб.32,56руб.30,34руб.29,60руб.28,86руб.26,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней66,97руб.61,42руб.60,31руб.58,83руб.54,76руб.53,65руб.52,17руб.46,99руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней86,58руб.79,92руб.78,07руб.76,22руб.71,04руб.69,19руб.67,71руб.60,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней44,40руб.40,70руб.39,96руб.38,85руб.36,26руб.35,52руб.34,41руб.31,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней85,47руб.78,81руб.76,96руб.75,11руб.72,89руб.70,30руб.66,60руб.59,94руб.

Характеристики

FDN360PThe FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.

• High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
• Low gate charge typically 6.2nC
• Drain to source voltage (Vds) of -30V
• Gate to source voltage of ±20V
• Continuous drain current (Id) of -2A at 25 C
• Power dissipation (Pd) of 500mW
• Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
• Operating temperature range -55 C to 150 C

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 3-SSOT, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2 А, 0.08 Ом, 0.5W