67

Транзистор FDN359AN

65,00 руб.

x 65,00 = 65,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней65,00руб.60,45руб.58,50руб.57,20руб.53,30руб.52,00руб.50,70руб.46,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней117,65руб.107,90руб.105,95руб.103,35руб.96,20руб.94,25руб.91,65руб.82,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней152,10руб.140,40руб.137,15руб.133,90руб.124,80руб.121,55руб.118,95руб.106,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней78,00руб.71,50руб.70,20руб.68,25руб.63,70руб.62,40руб.60,45руб.54,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней150,15руб.138,45руб.135,20руб.131,95руб.128,05руб.123,50руб.117,00руб.105,30руб.

Характеристики

FDN359ANThe FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Very fast switching
• Low gate charge

Транзисторы полевые импортные

Дополнительная информация

Корпус

SSOT-3

Структура

N-канал