67

Транзистор FDN358P

26,00 руб.

x 26,00 = 26,00
Артикул: 1127929 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней26,00руб.24,18руб.23,40руб.22,88руб.21,32руб.20,80руб.20,28руб.18,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней47,06руб.43,16руб.42,38руб.41,34руб.38,48руб.37,70руб.36,66руб.33,02руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней60,84руб.56,16руб.54,86руб.53,56руб.49,92руб.48,62руб.47,58руб.42,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней31,20руб.28,60руб.28,08руб.27,30руб.25,48руб.24,96руб.24,18руб.21,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней60,06руб.55,38руб.54,08руб.52,78руб.51,22руб.49,40руб.46,80руб.42,12руб.

Характеристики

FDN358PPowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 3-SSOT, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.5 А, 0.06 Ом