67

FDN340P, МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -20 В, 110 мОм

12,00 руб.

x 12,00 = 12,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней12,00руб.11,16руб.10,80руб.10,56руб.9,84руб.9,60руб.9,36руб.8,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней21,72руб.19,92руб.19,56руб.19,08руб.17,76руб.17,40руб.16,92руб.15,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней28,08руб.25,92руб.25,32руб.24,72руб.23,04руб.22,44руб.21,96руб.19,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней14,40руб.13,20руб.12,96руб.12,60руб.11,76руб.11,52руб.11,16руб.10,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней27,72руб.25,56руб.24,96руб.24,36руб.23,64руб.22,80руб.21,60руб.19,44руб.

Характеристики

FDN340P, МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -20 В, 110 мОм The FDN340P is a logic level P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 7.2nC Typical low gate charge

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SuperSOT

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока