67

FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]

13,00 руб.

x 13,00 = 13,00
Артикул: 1126608 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней13,00руб.12,09руб.11,70руб.11,44руб.10,66руб.10,40руб.10,14руб.9,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней23,53руб.21,58руб.21,19руб.20,67руб.19,24руб.18,85руб.18,33руб.16,51руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней30,42руб.28,08руб.27,43руб.26,78руб.24,96руб.24,31руб.23,79руб.21,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней15,60руб.14,30руб.14,04руб.13,65руб.12,74руб.12,48руб.12,09руб.10,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней30,03руб.27,69руб.27,04руб.26,39руб.25,61руб.24,70руб.23,40руб.21,06руб.

Характеристики

FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Дополнительная информация

Корпус

supersot3
Структура

p-канал