10484ad1eac446f4a53e9e86e4c05c46

FDME410NZT, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 20 В, 0.019 Ом

66,00 руб.

x 66,00 = 66,00
Артикул: 1133893 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней66,00руб.61,38руб.59,40руб.58,08руб.54,12руб.52,80руб.51,48руб.47,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней119,46руб.109,56руб.107,58руб.104,94руб.97,68руб.95,70руб.93,06руб.83,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней154,44руб.142,56руб.139,26руб.135,96руб.126,72руб.123,42руб.120,78руб.108,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней79,20руб.72,60руб.71,28руб.69,30руб.64,68руб.63,36руб.61,38руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней152,46руб.140,58руб.137,28руб.133,98руб.130,02руб.125,40руб.118,80руб.106,92руб.

Характеристики

FDME410NZT, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 20 В, 0.019 Ом The FDME410NZT is a single N-channel MOSFET designed using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) @ VGS = 1.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for Li-ion battery pack, base band switch and load switch applications.

• Halogen-free
• >1800V HBM ESD protection level

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

uFET
Рассеиваемая Мощность

2.1Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

7А