69

FDMA3027PZ, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.3 А

100,00 руб.

x 100,00 = 100,00
Артикул: 1131706 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней100,00руб.93,00руб.90,00руб.88,00руб.85,00руб.80,00руб.78,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней188,00руб.173,00руб.170,00руб.166,00руб.160,00руб.151,00руб.147,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней191,00руб.176,00руб.172,00руб.168,00руб.160,00руб.152,00руб.149,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней120,00руб.110,00руб.108,00руб.105,00руб.102,00руб.96,00руб.93,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней174,00руб.160,00руб.156,00руб.153,00руб.148,00руб.139,00руб.135,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней109,00руб.101,00руб.98,00руб.96,00руб.93,00руб.87,00руб.85,00руб.

Характеристики

FDMA3027PZ, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.3 А The FDMA3027PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2×2 thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level and it is suitable for use with load switch and discrete gate driver applications.

• Low profile
• ±25V Gate to source voltage
• -3.3A Continuous drain current
• -15A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

uFET
Рассеиваемая Мощность

1.4Вт
Полярность Транзистора

Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-30В
Непрерывный Ток Стока

-3.3А