FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В

9,00 руб.

Артикул: 1127469 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	9,00руб.	8,37руб.	8,10руб.	7,92руб.	7,38руб.	7,20руб.	7,02руб.	6,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	16,29руб.	14,94руб.	14,67руб.	14,31руб.	13,32руб.	13,05руб.	12,69руб.	11,43руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	21,06руб.	19,44руб.	18,99руб.	18,54руб.	17,28руб.	16,83руб.	16,47руб.	14,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	10,80руб.	9,90руб.	9,72руб.	9,45руб.	8,82руб.	8,64руб.	8,37руб.	7,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	20,79руб.	19,17руб.	18,72руб.	18,27руб.	17,73руб.	17,10руб.	16,20руб.	14,58руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В The FDMA291P is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2×2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

• Halogen-free

Дополнительная информация

Корпус	microfet 2×2
Структура	p-канал

Загрузка