62d6885814c0ce5ee8b7779487b263a9

Транзистор FDD8896

74,00 руб.

x 74,00 = 74,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней74,00руб.68,82руб.66,60руб.65,12руб.60,68руб.59,20руб.57,72руб.53,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней133,94руб.122,84руб.120,62руб.117,66руб.109,52руб.107,30руб.104,34руб.93,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней173,16руб.159,84руб.156,14руб.152,44руб.142,08руб.138,38руб.135,42руб.121,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней88,80руб.81,40руб.79,92руб.77,70руб.72,52руб.71,04руб.68,82руб.62,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней170,94руб.157,62руб.153,92руб.150,22руб.145,78руб.140,60руб.133,20руб.119,88руб.

Характеристики

FDD8896The FDD8896 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Low gate charge
• High power and current handling capability

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30В 85А 80Вт