Характеристики
FDD5614PThe FDD5614P is a P-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process, fast switching speed, high performance trench technology for extremely low RDS (ON).
• High power and current handling capability
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-252, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 15 А