16

FDD18N20LZ, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 200 В, 0.1 Ом

140,00 руб.

x 140,00 = 140,00
Артикул: 1132109 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней140,00руб.130,20руб.126,00руб.123,20руб.119,00руб.112,00руб.109,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней263,20руб.242,20руб.238,00руб.232,40руб.224,00руб.211,40руб.205,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней267,40руб.246,40руб.240,80руб.235,20руб.224,00руб.212,80руб.208,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней168,00руб.154,00руб.151,20руб.147,00руб.142,80руб.134,40руб.130,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней243,60руб.224,00руб.218,40руб.214,20руб.207,20руб.194,60руб.189,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней152,60руб.141,40руб.137,20руб.134,40руб.130,20руб.121,80руб.119,00руб.

Характеристики

FDD18N20LZ, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 200 В, 0.1 Ом UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

89Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

16А