7

FDC653N, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 35 мОм, 10 В, 1.7 В

61,00 руб.

x 61,00 = 61,00
Артикул: 1133860 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней61,00руб.56,73руб.54,90руб.53,68руб.50,02руб.48,80руб.47,58руб.43,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней110,41руб.101,26руб.99,43руб.96,99руб.90,28руб.88,45руб.86,01руб.77,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней142,74руб.131,76руб.128,71руб.125,66руб.117,12руб.114,07руб.111,63руб.100,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней73,20руб.67,10руб.65,88руб.64,05руб.59,78руб.58,56руб.56,73руб.51,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней140,91руб.129,93руб.126,88руб.123,83руб.120,17руб.115,90руб.109,80руб.98,82руб.

Характеристики

FDC653N, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 35 мОм, 10 В, 1.7 ВThe FDC653N is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMICA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SuperSOT
Рассеиваемая Мощность

1.6Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

5а