16

Транзистор FDB8880

92,00 руб.

x 92,00 = 92,00
Артикул: 1127913 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней92,00руб.85,56руб.82,80руб.80,96руб.75,44руб.73,60руб.71,76руб.66,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней166,52руб.152,72руб.149,96руб.146,28руб.136,16руб.133,40руб.129,72руб.116,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней215,28руб.198,72руб.194,12руб.189,52руб.176,64руб.172,04руб.168,36руб.150,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней110,40руб.101,20руб.99,36руб.96,60руб.90,16руб.88,32руб.85,56руб.77,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней212,52руб.195,96руб.191,36руб.186,76руб.181,24руб.174,80руб.165,60руб.149,04руб.

Характеристики

FDB8880The FDB8880 is a PowerTrench® N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast-switching speed.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Low gate charge
• High power and current handling capability

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-263AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А, 11 мОм