3d5d47518494653dcca469189637fd22

Транзистор FDB33N25TM

170,00 руб.

x 170,00 = 170,00
Артикул: 1127906 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней170,00руб.158,10руб.153,00руб.149,60руб.144,50руб.136,00руб.132,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней319,60руб.294,10руб.289,00руб.282,20руб.272,00руб.256,70руб.249,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней324,70руб.299,20руб.292,40руб.285,60руб.272,00руб.258,40руб.253,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней204,00руб.187,00руб.183,60руб.178,50руб.173,40руб.163,20руб.158,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней295,80руб.272,00руб.265,20руб.260,10руб.251,60руб.236,30руб.229,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней185,30руб.171,70руб.166,60руб.163,20руб.158,10руб.147,90руб.144,50руб.

Характеристики

FDB33N25TMUniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DВ_PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 33 А, 235 Вт