7

FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]

307,00 руб.

x 307,00 = 307,00
Артикул: 1126600 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней307,00руб.285,51руб.276,30руб.270,16руб.260,95руб.245,60руб.239,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней577,16руб.531,11руб.521,90руб.509,62руб.491,20руб.463,57руб.451,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней586,37руб.540,32руб.528,04руб.515,76руб.491,20руб.466,64руб.457,43руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней368,40руб.337,70руб.331,56руб.322,35руб.313,14руб.294,72руб.285,51руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней534,18руб.491,20руб.478,92руб.469,71руб.454,36руб.426,73руб.414,45руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней334,63руб.310,07руб.300,86руб.294,72руб.285,51руб.267,09руб.260,95руб.

Характеристики

FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Дополнительная информация

Корпус

TO-3PN
Структура

n-канал