7

FDA20N50F, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 500 В, 0.22 Ом

490,00 руб.

x 490,00 = 490,00
Артикул: 1132099 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней490,00руб.455,70руб.441,00руб.431,20руб.416,50руб.392,00руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней921,20руб.847,70руб.833,00руб.813,40руб.784,00руб.739,90руб.720,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней935,90руб.862,40руб.842,80руб.823,20руб.784,00руб.744,80руб.730,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней588,00руб.539,00руб.529,20руб.514,50руб.499,80руб.470,40руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней852,60руб.784,00руб.764,40руб.749,70руб.725,20руб.681,10руб.661,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней534,10руб.494,90руб.480,20руб.470,40руб.455,70руб.426,30руб.416,50руб.

Характеристики

FDA20N50F, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 500 В, 0.22 Ом UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-3PN
Рассеиваемая Мощность

388Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

22А