a2a24f531a76dc4da9bb4dcec927f119

FCPF190N60E, МОП-транзистор, N Канал, 20.6 А, 600 В

280,00 руб.

x 280,00 = 280,00
Артикул: 1132096 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней280,00руб.260,40руб.252,00руб.246,40руб.238,00руб.224,00руб.218,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней526,40руб.484,40руб.476,00руб.464,80руб.448,00руб.422,80руб.411,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней534,80руб.492,80руб.481,60руб.470,40руб.448,00руб.425,60руб.417,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней336,00руб.308,00руб.302,40руб.294,00руб.285,60руб.268,80руб.260,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней487,20руб.448,00руб.436,80руб.428,40руб.414,40руб.389,20руб.378,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней305,20руб.282,80руб.274,40руб.268,80руб.260,40руб.243,60руб.238,00руб.

Характеристики

FCPF190N60E, МОП-транзистор, N Канал, 20.6 А, 600 В The FCPF190N60E is a N-channel SuperFET® II high voltage super-junction MOSFET utilizes advanced charge-balance technology for outstandingly low ON-state resistance and lower gate charge. This advanced MOSFET is tailored not only to minimize conduction loss but also to achieve superior switching performance. Besides these advantages, it also provides extremely higher dV/dt rate and bigger avalanche energy than conventional super-junction MOSFETs. SuperFET II MOSFET is suitable for various switching power applications aiming for system miniaturization and higher efficiency.

• Ultra low gate charge (Qg = 57nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 160pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220F
Рассеиваемая Мощность

39Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

20.6А