Дополнительная информация
Бренд | Mitsubishi |
---|---|
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Входная емкость затвора,нФ | 30 |
Мощность привода, кВт | — |
Драйвер управления | VLA504 |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.8 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40…150 |