Характеристики
CM1200DC-34S, IGBT модуль
Макс.напр.к-э,В1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15
Номинальный ток одиночного тр-ра,А1200
Структура модуля полумост
Тип силового модуляСборка на IGBT Транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц15
Входная емкость затвора,нФ176
Драйвер управлениявнешний
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт6500
Максимальный ток эмиттера, А2400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В7
Напряжение эмиттер-коллектор,В2.6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс400
Напряжение изоляции, В4000
ПроизводительMitsubishi