IGBT-POWER-MODULE-CM100DY-12H-CM75DY-12H

Модуль силовой CM100DU-12H

6.600,00 руб.

x 6.600,00 = 6.600,00
Артикул: 1065083 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней6.600,00руб.6.138,00руб.5.808,00руб.5.610,00руб.5.412,00руб.5.313,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней7.458,00руб.6.732,00руб.6.600,00руб.6.336,00руб.6.138,00руб.6.006,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней8.052,00руб.7.260,00руб.7.062,00руб.6.864,00руб.6.468,00руб.6.072,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней7.854,00руб.7.062,00руб.6.930,00руб.6.666,00руб.6.402,00руб.6.039,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней11.220,00руб.10.098,00руб.9.900,00руб.9.504,00руб.9.174,00руб.8.382,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней11.154,00руб.10.032,00руб.9.820,80руб.9.438,00руб.9.108,00руб.8.316,00руб.

Дополнительная информация

Бренд

Mitsubishi

Макс.напр.к-э,В

600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

2.4

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

100

Структура модуля

полумост

Тип силового модуля

Сборка на IGBT транзисторах

Максимальная частота модуляции,кГц

15

Входная емкость затвора,нФ

8.8

Мощность привода, кВт

Драйвер управления

внешний

Защита по току

нет

Защита от короткого замыкания

нет

Защита от перегрева

нет

Защита от пониженного напряжения питания

нет

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

400

Максимальный ток эмиттера, А

200

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

6

Напряжение эмиттер-коллектор,В

2.6

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

250

Напряжение изоляции, В

2500

Температурный диапазон,С

-40…150