1fb26cc45e45b002ac328092995ec823

BUK7Y9R9-80E, МОП-транзистор, N Канал, 89 А, 80 В

91,00 руб.

x 91,00 = 91,00
Артикул: 1133630 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней91,00руб.84,63руб.81,90руб.80,08руб.74,62руб.72,80руб.70,98руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней164,71руб.151,06руб.148,33руб.144,69руб.134,68руб.131,95руб.128,31руб.115,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней212,94руб.196,56руб.192,01руб.187,46руб.174,72руб.170,17руб.166,53руб.149,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней109,20руб.100,10руб.98,28руб.95,55руб.89,18руб.87,36руб.84,63руб.76,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней210,21руб.193,83руб.189,28руб.184,73руб.179,27руб.172,90руб.163,80руб.147,42руб.

Характеристики

BUK7Y9R9-80E, МОП-транзистор, N Канал, 89 А, 80 В The BUK7Y9R9-80E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 C rating
• True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-669
Рассеиваемая Мощность

195Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

80В
Непрерывный Ток Стока

89А