31eaf722ebb33cbf765e685bf5652d1b

BUK7Y8R7-60E, МОП-транзистор, N Канал, 87 А, 60 В

81,00 руб.

x 81,00 = 81,00
Артикул: 1133628 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней81,00руб.75,33руб.72,90руб.71,28руб.66,42руб.64,80руб.63,18руб.58,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней146,61руб.134,46руб.132,03руб.128,79руб.119,88руб.117,45руб.114,21руб.102,87руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней189,54руб.174,96руб.170,91руб.166,86руб.155,52руб.151,47руб.148,23руб.132,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней97,20руб.89,10руб.87,48руб.85,05руб.79,38руб.77,76руб.75,33руб.68,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней187,11руб.172,53руб.168,48руб.164,43руб.159,57руб.153,90руб.145,80руб.131,22руб.

Характеристики

BUK7Y8R7-60E, МОП-транзистор, N Канал, 87 А, 60 В The BUK7Y8R7-60E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 C rating
• True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-669
Рассеиваемая Мощность

147Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

87А