daec708bdd2df80c4abda8f9da2657ea

BUK7Y4R4-40E, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В

88,00 руб.

x 88,00 = 88,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней88,00руб.81,84руб.79,20руб.77,44руб.72,16руб.70,40руб.68,64руб.63,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней159,28руб.146,08руб.143,44руб.139,92руб.130,24руб.127,60руб.124,08руб.111,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней205,92руб.190,08руб.185,68руб.181,28руб.168,96руб.164,56руб.161,04руб.144,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней105,60руб.96,80руб.95,04руб.92,40руб.86,24руб.84,48руб.81,84руб.73,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней203,28руб.187,44руб.183,04руб.178,64руб.173,36руб.167,20руб.158,40руб.142,56руб.

Характеристики

BUK7Y4R4-40E, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В The BUK7Y4R4-40E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 C rating
• True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-669

Рассеиваемая Мощность

147Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

40В

Непрерывный Ток Стока

100А