fd6f9a2cb1cf0f53eb49bf2d7ef80008

Микросхема BTS5215L, Мощный двухканальный ключ верхнего уровня [SO-12]

264,61 руб.

x 264,61 = 264,61
Артикул: 1116272 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней264,61руб.246,09руб.238,15руб.232,86руб.224,92руб.211,69руб.206,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней497,47руб.457,78руб.449,84руб.439,25руб.423,38руб.399,56руб.388,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней505,41руб.465,71руб.455,13руб.444,54руб.423,38руб.402,21руб.394,27руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней317,53руб.291,07руб.285,78руб.277,84руб.269,90руб.254,03руб.246,09руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней460,42руб.423,38руб.412,79руб.404,85руб.391,62руб.367,81руб.357,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней288,42руб.267,26руб.259,32руб.254,03руб.246,09руб.230,21руб.224,92руб.

Характеристики

BTS5215L, Мощный двухканальный ключ верхнего уровня [SO-12]The BTS5215L is a 2-channel high-side vertical Power Switch with MOSFET, charge pump, ground reference CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in smart SIPMOS® chip on chip technology. It provides embedded protective functions and logic ground independent from load ground.

• Very low standby current
• Improved electromagnetic compatibility
• Fast demagnetization of inductive loads
• Stable behaviour at under-voltage
• Wide operating voltage range
• High voltage capability
• Benchmark energy robustness