67

BST82, МОП-транзистор, N Канал, 190 мА, 100 В, 10 Ом, 5 В, 2 В

24,00 руб.

x 24,00 = 24,00
Артикул: 1133543 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней24,00руб.22,32руб.21,60руб.21,12руб.19,68руб.19,20руб.18,72руб.17,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней43,44руб.39,84руб.39,12руб.38,16руб.35,52руб.34,80руб.33,84руб.30,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней56,16руб.51,84руб.50,64руб.49,44руб.46,08руб.44,88руб.43,92руб.39,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней28,80руб.26,40руб.25,92руб.25,20руб.23,52руб.23,04руб.22,32руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней55,44руб.51,12руб.49,92руб.48,72руб.47,28руб.45,60руб.43,20руб.38,88руб.

Характеристики

BST82, МОП-транзистор, N Канал, 190 мА, 100 В, 10 Ом, 5 В, 2 ВThe BST82 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high speed line driver and logic level translator.

• Logic-level compatible
• Very fast switching

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

830мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

190мА