2c46ea2adce5bdffcfa86aa7e6ac4428

Транзистор BSS84PH6327

10,00 руб.

x 10,00 = 10,00
Артикул: 1127894 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней10,00руб.9,30руб.9,00руб.8,80руб.8,20руб.8,00руб.7,80руб.7,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней18,10руб.16,60руб.16,30руб.15,90руб.14,80руб.14,50руб.14,10руб.12,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней23,40руб.21,60руб.21,10руб.20,60руб.19,20руб.18,70руб.18,30руб.16,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней12,00руб.11,00руб.10,80руб.10,50руб.9,80руб.9,60руб.9,30руб.8,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней23,10руб.21,30руб.20,80руб.20,30руб.19,70руб.19,00руб.18,00руб.16,20руб.

Характеристики

BSS84PH6327Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS ® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 0.17 А, 0.36 Вт, 8.0 Ом