11

BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]

19,00 руб.

x 19,00 = 19,00
Артикул: 1127431 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней19,00руб.17,67руб.17,10руб.16,72руб.15,58руб.15,20руб.14,82руб.13,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней34,39руб.31,54руб.30,97руб.30,21руб.28,12руб.27,55руб.26,79руб.24,13руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней44,46руб.41,04руб.40,09руб.39,14руб.36,48руб.35,53руб.34,77руб.31,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней22,80руб.20,90руб.20,52руб.19,95руб.18,62руб.18,24руб.17,67руб.15,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней43,89руб.40,47руб.39,52руб.38,57руб.37,43руб.36,10руб.34,20руб.30,78руб.

Характеристики

BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]The BSS138 is a 50V N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• Rugged and reliable
• ±20V Gate source voltage (VGSS)
• 350 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

n-канал