624342-1_500

Силовой модуль IGBT BSM75GB120DN2HOSA1

5.336,00 руб.

x 5.336,00 = 5.336,00
Артикул: 1085689 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней5.336,00руб.4.962,48руб.4.695,68руб.4.535,60руб.4.375,52руб.4.295,48руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней6.029,68руб.5.442,72руб.5.336,00руб.5.122,56руб.4.962,48руб.4.855,76руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней6.509,92руб.5.869,60руб.5.709,52руб.5.549,44руб.5.229,28руб.4.909,12руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней6.349,84руб.5.709,52руб.5.602,80руб.5.389,36руб.5.175,92руб.4.882,44руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней9.071,20руб.8.164,08руб.8.004,00руб.7.683,84руб.7.417,04руб.6.776,72руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней9.017,84руб.8.110,72руб.7.939,97руб.7.630,48руб.7.363,68руб.6.723,36руб.

Характеристики

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies
Series
Part Status Active
IGBT Type
Configuration Half Bridge
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Current — Collector (Ic) (Max) 105A
Power — Max 625W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Current — Collector Cutoff (Max) 1.5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Module
Supplier Device Package Module

Описание

IGBT 2 MED POWER 34MM-1 — IGBT Module Half Bridge 1200V 105A 625W Chassis Mount Module

IGBT модули BSM75GB120DN2HOSA1

Дополнительная информация

Бренд

Infineon