2011403144

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

8.133,83 руб.

x 8.133,83 = 8.133,83
Артикул: 1065065 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней8.133,83руб.7.564,46руб.7.157,77руб.6.913,76руб.6.669,74руб.6.547,73руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней9.191,23руб.8.296,51руб.8.133,83руб.7.808,48руб.7.564,46руб.7.401,79руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней9.923,27руб.8.947,21руб.8.703,20руб.8.459,18руб.7.971,15руб.7.483,12руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней9.679,26руб.8.703,20руб.8.540,52руб.8.215,17руб.7.889,82руб.7.442,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней13.827,51руб.12.444,76руб.12.200,75руб.11.712,72руб.11.306,02руб.10.329,96руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней13.746,17руб.12.363,42руб.12.103,14руб.11.631,38руб.11.224,69руб.10.248,63руб.

Характеристики

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

Дополнительная информация

Бренд

Infineon

Макс.напр.к-э,В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

Структура модуля

Тип силового модуля

Максимальная частота модуляции,кГц

Входная емкость затвора,нФ

Мощность привода, кВт

Драйвер управления

Защита по току

Защита от короткого замыкания

Защита от перегрева

Защита от пониженного напряжения питания

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

Максимальный ток эмиттера, А

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

Напряжение эмиттер-коллектор,В

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

Напряжение изоляции, В

Температурный диапазон,С