24

Силовой модуль IGBT BSM35GP120

12.873,00 руб.

x 12.873,00 = 12.873,00
Артикул: 1085911 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней12.873,00руб.11.971,89руб.11.328,24руб.10.942,05руб.10.555,86руб.10.362,77руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней14.546,49руб.13.130,46руб.12.873,00руб.12.358,08руб.11.971,89руб.11.714,43руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней15.705,06руб.14.160,30руб.13.774,11руб.13.387,92руб.12.615,54руб.11.843,16руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней15.318,87руб.13.774,11руб.13.516,65руб.13.001,73руб.12.486,81руб.11.778,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней21.884,10руб.19.695,69руб.19.309,50руб.18.537,12руб.17.893,47руб.16.348,71руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней21.755,37руб.19.566,96руб.19.155,02руб.18.408,39руб.17.764,74руб.16.219,98руб.

Характеристики

Модуль BSM35GP120 биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Технические характертстики:

Модуль IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: 1200 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 В

Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A

Ток утечки затвор-эмиттер: 300 нA

Рассеивание мощности: 230 Вт

Рабочая температура: от -40 до + 125 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 В

Дополнительная информация

Бренд

Infineon