4a170b287d2f35400451bc79d5c47598

BSH207,135, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -12 В, 0.08 Ом

27,00 руб.

x 27,00 = 27,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней27,00руб.25,11руб.24,30руб.23,76руб.22,14руб.21,60руб.21,06руб.19,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней48,87руб.44,82руб.44,01руб.42,93руб.39,96руб.39,15руб.38,07руб.34,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней63,18руб.58,32руб.56,97руб.55,62руб.51,84руб.50,49руб.49,41руб.44,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней32,40руб.29,70руб.29,16руб.28,35руб.26,46руб.25,92руб.25,11руб.22,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней62,37руб.57,51руб.56,16руб.54,81руб.53,19руб.51,30руб.48,60руб.43,74руб.

Характеристики

BSH207,135, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -12 В, 0.08 Ом The BSH207.135 is a P-channel enhancement-mode Power MOS Transistor housed subminiature surface-mount package. The device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing.

• Very low threshold
• Fast switching
• Logic level compatible
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-457

Рассеиваемая Мощность

417мВт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-12В

Непрерывный Ток Стока

-1А