47

BFS483H6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, Двойной NPN

60,00 руб.

x 60,00 = 60,00
Артикул: 1130618 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней60,00руб.55,80руб.54,00руб.52,80руб.49,20руб.48,00руб.46,80руб.43,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней108,60руб.99,60руб.97,80руб.95,40руб.88,80руб.87,00руб.84,60руб.76,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней140,40руб.129,60руб.126,60руб.123,60руб.115,20руб.112,20руб.109,80руб.98,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней72,00руб.66,00руб.64,80руб.63,00руб.58,80руб.57,60руб.55,80руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней138,60руб.127,80руб.124,80руб.121,80руб.118,20руб.114,00руб.108,00руб.97,20руб.

Характеристики

BFS483H6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, Двойной NPN The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.

• Two (galvanic) internal isolated transistor in one package

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в
Рассеиваемая Мощность

450мВт
Полярность Транзистора

Двойной NPN
DC Ток Коллектора

65мА
DC Усиление Тока hFE

70hFE
Корпус РЧ Транзистора

SOT-363
Частота Перехода ft

8ГГц