62

BFR740L3RHE6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4 В

83,00 руб.

x 83,00 = 83,00
Артикул: 1130606 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней83,00руб.77,19руб.74,70руб.73,04руб.68,06руб.66,40руб.64,74руб.59,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней150,23руб.137,78руб.135,29руб.131,97руб.122,84руб.120,35руб.117,03руб.105,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней194,22руб.179,28руб.175,13руб.170,98руб.159,36руб.155,21руб.151,89руб.136,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней99,60руб.91,30руб.89,64руб.87,15руб.81,34руб.79,68руб.77,19руб.69,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней191,73руб.176,79руб.172,64руб.168,49руб.163,51руб.157,70руб.149,40руб.134,46руб.

Характеристики

BFR740L3RHE6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4 В The BFR 740L3RH E6327 is a NPN wideband RF Transistor based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. It provides a transition frequency fT of 42GHz and is suited for low voltage applications from VHF to 12GHz. Due to its low power consumption the device is very energy efficient and well suited for mobile applications. It is housed in a very thin small leadless package ideal for modules.

• Very low-noise transistor
• High power gain
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

4В
Рассеиваемая Мощность

160мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

40мА
DC Усиление Тока hFE

160hFE
Корпус РЧ Транзистора

TSLP
Частота Перехода ft

47ГГц