10c96acc2eccf3cbe725d7abc4c68bd3

BFR520.215, Транзистор NPN, 15 В, 9 ГГц, 300 мВт, 70 мА

52,00 руб.

x 52,00 = 52,00
Артикул: 1124889 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней52,00руб.48,36руб.46,80руб.45,76руб.42,64руб.41,60руб.40,56руб.37,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней94,12руб.86,32руб.84,76руб.82,68руб.76,96руб.75,40руб.73,32руб.66,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней121,68руб.112,32руб.109,72руб.107,12руб.99,84руб.97,24руб.95,16руб.85,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней62,40руб.57,20руб.56,16руб.54,60руб.50,96руб.49,92руб.48,36руб.43,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней120,12руб.110,76руб.108,16руб.105,56руб.102,44руб.98,80руб.93,60руб.84,24руб.

Характеристики

BFR520.215, Транзистор NPN, 15 В, 9 ГГц, 300 мВт, 70 мА The BFR520 is a NPN silicon epitaxial planar Wideband Transistor encapsulated in a plastic package. The device is intended for RF front end wideband applications in the GHz range, such as analogue and digital cellular telephones, cordless telephones (CT2, CT3, PCN, DECT), radar detectors, pagers, satellite television tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre-optic systems.

• High power gain
• Low noise figure
• High transition frequency
• Gold metallization ensures excellent reliability

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.07
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.3